更新時間:2022-07-07
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赫爾納-供應(yīng)德國直采microchemicals光刻膠赫爾納-供應(yīng)德國直采microchemicals光刻膠
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microchemicals光刻膠主要產(chǎn)品:
1. 光刻膠
2. 增粘劑
3. 蝕刻混合物
4. 電鍍
microchemicals光刻膠產(chǎn)品型號:
l AZ ® 15nXT
microchemicals光刻膠產(chǎn)品特點:
光刻膠正抗、負抗和反轉(zhuǎn)抗蝕劑
在正性抗蝕劑的情況下,由于在那里發(fā)生茚羧酸的形成,曝光區(qū)域變得可溶于顯影劑中。由于正性抗蝕劑不交聯(lián),過其軟化點(約 100-130°C)會導致抗蝕劑輪廓變圓。
microchemicals光刻膠產(chǎn)品應(yīng)用:
microchemicals光刻膠另一方面,負性抗蝕劑如AZ ® nLOF 2000 系列或AZ ® 15nXT和AZ ® 125nXT,通過隨后的烘烤步驟在曝光區(qū)域交聯(lián)(對于AZ ® 125nXT不是必需的)并保留在顯影后的底材。
在高溫下,交聯(lián)也可以油漆輪廓變圓。然而,在高工藝溫度下,熱交聯(lián)度會增加到這樣的程度,以至于濕化學剝離變得困難甚至不可能。
microchemicals光刻膠圖像反轉(zhuǎn)抗蝕劑可以正片和負片兩種方式處理。雖然在正模式下,與正抗蝕劑的工藝順序相同,但負模式曝光后反向烘烤步驟,然后是泛光曝光。樹脂的交聯(lián)僅在負模式下發(fā)生很小的程度,因此油漆結(jié)構(gòu)在油漆軟化點以上變得圓潤
microchemicals光刻膠適當?shù)耐繉?/span>
microchemicals光刻膠旋涂是用光刻膠涂覆基材的常用方法。幾乎的 AZ ®和 TI 涂料都為此進行了優(yōu)化,并允許平滑且非常均勻的層厚。所到的涂料層厚度與旋轉(zhuǎn)速度的平方根的倒數(shù)成正比,因此可以在每種涂料的特定范圍內(nèi)進行調(diào)整。由于邊緣珠在低旋轉(zhuǎn)速度下更明顯,因此應(yīng)使用AZ ® 4562或AZ ® 9260等高粘度涂料和合適的旋轉(zhuǎn)曲線來獲得較大的漆膜厚度。
噴涂 還允許涂覆高度紋理化的基材。為獲得均勻的漆層厚度、光滑的漆面和良好的邊緣覆蓋率,使用具有不同蒸氣壓的不同溶劑的優(yōu)化混合物,如在噴漆AZ ® 4999或TI Spray中預(yù)設(shè)的那樣。
浸涂 可以在大平方米范圍內(nèi)的大型矩形基材上進行非常具有成本效益(高油漆產(chǎn)量?。┑耐繉?。為了在整個基板表面上獲得均勻的抗蝕劑層厚度,對溶劑成分進行佳調(diào)整,就像MC Dip Coating Resist一樣。
干化學蝕刻具有盡可能高的軟化點和垂直抗蝕劑邊緣的抗蝕劑掩模。為此,AZ ® 701 MIR 14cps或29cps針對非常高的分辨率要求進行了優(yōu)化。油漆僅在 130°C 左右開始變圓。
厚抗蝕劑處理:如果過 5 µm 的抗蝕劑層厚度,則使用適當?shù)暮窨刮g劑,例如AZ ® 4562或AZ ® 9260,或負性AZ ® 15nXT或AZ ® 125nXT。除了層厚約 10 µm 的垂直油漆邊緣外,后者還由于其交聯(lián)性而提供出色的熱穩(wěn)定性。
漆膜厚度
許多針對特定應(yīng)用進行了優(yōu)化的光刻膠可提供各種調(diào)整后的粘度,以實現(xiàn)大范圍的抗蝕劑層厚度。通常后兩位數(shù)字表示清漆以 100 nm 為單位(在本例中為 3.2 µm),在 4000 rpm(無 Gyrset)下到的抗蝕劑層厚度。抗蝕劑層厚度隨著旋轉(zhuǎn)速度的平方根而減?。ɡ?span>AZ ® 4533:在 2000 ... 4000 ... 6000 rpm 時為 4.0 µm ... 3.3 µm ... 2.3 µm),因此一定的粘度,所到的漆層厚度可以在一定范圍內(nèi)調(diào)整。如果要擴大這些限制,建議使用另一個可用的粘度等級。通過用 PGMEA (= AZ ® EBR Solvent ) 稀釋高粘度光刻膠) 或其他合適的溶劑(例如乙酸丁酯或乳酸乙酯),具有不同抗蝕劑層厚度的工藝基本上可以使用一種光刻膠進行。然而,應(yīng)該注意的是,稀釋的光刻膠傾向于形成不同程度的顆粒,這取決于光刻膠系統(tǒng)。由于粒子本身由光引發(fā)劑組成,因此即使在粒子過濾后,光刻膠的性能也會受到限制:暗磨損增加(未曝光的光引發(fā)劑 = 顯影劑中的抑制劑),顯影速率下降,即光刻膠的度下降.
用薄光刻膠堆積厚光刻膠層是有問題的,原因有兩個:為此所需的低旋轉(zhuǎn)速度會增加邊緣珠,并且薄光刻膠中通常高濃度的光引發(fā)劑會導致強烈的 N2 形成,并伴有起泡和/或應(yīng)力當已經(jīng)形成的厚抗蝕劑層暴露在光線下時會出現(xiàn)裂縫,或者無法進行透光曝光。
光譜靈敏度