更新時間:2023-07-18
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廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
生產(chǎn)地址:
品牌 | 其他品牌 | 材料形狀 | 扁線 |
---|---|---|---|
芯數(shù) | 7 | 拉伸強度 | 7547 |
電線最大外徑 | 895mm | 絕緣厚度 | 75mm |
產(chǎn)品認(rèn)證 | 126 | 產(chǎn)地 | 進口 |
定時范圍 | 86 | 恒溫范圍 | 103-960°C |
搖板數(shù)量 | 643 | 儀器種類 | 其它振蕩器、搖床 |
振蕩幅度 | 64 | 振蕩頻率 | 360rpm |
赫爾納供應(yīng)美國Xsis晶體振蕩器CR55/U
赫爾納供應(yīng)美國Xsis晶體振蕩器CR55/U
赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢供應(yīng),美國總部直接采購,近30年進口工業(yè)品經(jīng)驗,原裝產(chǎn)品,支持選型,為您提供一對一好的解決方案:貨期穩(wěn)定,快速報價,價格優(yōu),在中國設(shè)有8大辦事處提供相關(guān)售后服務(wù).
公司簡介:
XSIS電子公司成立于1978年4月n。在XIS,我們門設(shè)計和制造晶體振蕩器和晶體單位,用于空間,工業(yè),電信和超高溫井下應(yīng)用。
Xsis晶體振蕩器主要產(chǎn)品:
Xsis晶體振蕩器
Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品型號:
CR55/U , CR60/U , CR61/U , CR64/U , CR67/U , CR69/U
Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品特點:
包裝:90%Al2O3陶瓷,
密封:密封-抗氣密性
焊接重量:0.15Gms
典型,0.2Gms.
熱阻,連接到外殼(0C):38 C/瓦特焊料回流
溫度/時間:260°℃大值為10秒。
Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品應(yīng)用:
Xsis晶體振蕩器溫晶體振蕩器XIS電子提供高晶體振蕩器在高溫應(yīng)用。XIS電子公司設(shè)計并加工了這些振蕩器,以便在-55℃至230℃的擴展溫度范圍內(nèi)工作。高溫材料和經(jīng)過驗證的工藝被用來在溫度下提供。
Xsis晶體振蕩器用于老化的 PDA: 除非另有說明,用于老化的 PDA 應(yīng)為2% 或1個振蕩器,以大者為準(zhǔn),適用于 + 23 °C 至 + 25 °C 的靜態(tài)測試。此外,臺達計算應(yīng)在老化后執(zhí)行,并應(yīng)計入 PDA。Xsis晶體振蕩器測量值的三角洲計算應(yīng)記錄。超過規(guī)定的增量限值的部件將被拒絕并計入 PDA。
XIS電子制造的高溫晶體振蕩器是為高溫和環(huán)境的應(yīng)用而設(shè)計的,如,井下鉆井測量,噴氣發(fā)動機傳感器,高溫航空電子學(xué),高溫耦合高沖擊和振動等。通過使用內(nèi)部有工藝制造的精密石英晶體,在41年以上的軍事(QLS)和空間應(yīng)用晶體振蕩器制造經(jīng)驗中開發(fā)和改進,實現(xiàn)了的良好頻率老化特性。在操作溫度范圍內(nèi)100%測試振蕩器。
Xsis晶體振蕩器總劑量輻射: 按照 MIL-STD-883方法1019,混合微電路晶體振蕩器在暴露于100克拉德的吸收劑量輻射后,應(yīng)能第3.6段的電氣特性。包裝: 陶瓷,90% 分鐘。AL2O3.,重量: 0.4 Gms 大。熱阻,θJC: 40 oC/瓦。完成: 1.27微米小鍍金鎳板。用 Sn60/Pb40釬料 perMIL-PRF-55310進行熱釬料鍍錫是可選的,但需要額外的成本。回流焊接: 在260 °C 下回流焊接10秒鐘不會降低性能。3.3密封性: Xsis晶體振蕩器電阻焊接,密封,泄漏率1(10)-8 atm-cc/s 大。3.4標(biāo)記: 零件至少應(yīng)標(biāo)記 Xsis P/N、 Xsis 籠代碼、 ESD 符號、日期代碼和序列號。3.5大額定值: 除非另有規(guī)定,大額定值應(yīng)如下: 電源電壓 -0.5至 + 4.5 VDCOperating 空氣溫度范圍 -55 oC 至 + 125 oC 儲存溫度 -55 oC 至 + 125 oC3.6Xsis晶體振蕩器電氣特性: 見表 I3.7雜化元素: 3.7.1石英晶體: 應(yīng)使用高級培養(yǎng)石英晶體。作為一種選擇,Xsis 將使用額外收費的優(yōu)質(zhì) Q 掃頻石英晶體。Xsis晶體振蕩器晶體元件的評估應(yīng)符合 MIL-PRF-55310。3.7.2水晶安裝: 水晶元件應(yīng)安裝在4點,以便在本文規(guī)定的環(huán)境下提供足的堅固性和性能。3.7.3被動元件: 建立可靠性(ER) QPL 元件,應(yīng)使用 R 小故障,或根據(jù) MIL-PRF-55310,S 級,或 MIL-PRF-38534,附錄 C,K 級適用的元件批量評估。3.7.4微電路模具應(yīng)來自通過 MIL-PRF-38534級 K 級元件評定的批次。Xsis晶體振蕩器此外,電離輻射測試應(yīng)在本文第3.7.5段解釋的振蕩器水平上進行。