赫爾納供應(yīng)德國(guó)siegert wafer硅片AFM

赫爾納供應(yīng)德國(guó)siegert wafer硅片AFM

赫爾納供應(yīng)德國(guó)siegert wafer硅片AFM

赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢(shì)供應(yīng),德國(guó)總部直接采購(gòu)，近30年進(jìn)口工業(yè)品經(jīng)驗(yàn),原裝產(chǎn)品，為您提供一對(duì)一好的解決方案，貨期穩(wěn)定。

公司簡(jiǎn)介：

除了硅之外，您當(dāng)然還會(huì)在我們的產(chǎn)品組合中找到小批量生產(chǎn) 的由熔融石英、硼浮法和玻璃、藍(lán)寶石和SOI 晶圓制成的基板。SIEGERT WAFER GmbH 也是您在晶圓領(lǐng)域的涂層、格式化或許多其他方面的。我們有能力在研磨和拋光客戶(hù)的晶圓。

siegert wafer硅片主要產(chǎn)品：

siegert wafer硅片

siegert wafer硅棒

siegert wafer硅片產(chǎn)品型號(hào)：

siegert wafer硅片SEM

siegert wafer硅片AFM

siegert wafer硅片產(chǎn)品特點(diǎn)：

直徑2 英寸（50.8 毫米），3 英寸（76.2 毫米），100 毫米，125 毫米，150 毫米，200 毫米，300 毫米。

生長(zhǎng)CZ（直拉），FZ-HPS（浮區(qū)，超純硅），FZ-NTD（浮區(qū)，中子嬗變摻雜），FZ-GD（浮區(qū)，氣體摻雜）。

方向，<100>，<111>，<110>。

電阻率0.001 - 50,000 歐姆-厘米。

厚度100 - 8,000 µm。

表面處理，單面拋光 (SSP)，雙面拋光 (DSP)，切割，研磨，蝕刻。

siegert wafer硅片產(chǎn)品應(yīng)用：

siegert wafer硅片晶圓研磨是一種減少晶圓厚度的技術(shù)。它也稱(chēng)為背部打圈或背部細(xì)化。通常它是使用不同的砂輪分幾個(gè)步驟完成的。每一步，晶粒尺寸都會(huì)變得更細(xì)，以消上一步造成的亞表面損傷，并進(jìn)一步降低表面粗糙度。siegert wafer硅片精細(xì)的 Ultrapoligrind 砂輪可產(chǎn)生精細(xì)研磨的反光表面。siegert wafer硅片CMP 預(yù)拋光和拋光是實(shí)現(xiàn)表面質(zhì)量的后步驟?；瘜W(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 通常分兩個(gè)階段進(jìn)行：預(yù)拋光去除先前步驟中表面上和表面下方的殘留損傷，siegert wafer硅片而在隨后的拋光中，通過(guò)平滑將所謂的霧度水平降至低晶圓表面。所實(shí)現(xiàn)的平坦表面結(jié)構(gòu)和 ?ngstr?m 范圍內(nèi)的粗糙度新應(yīng)用的要求。

siegert wafer硅片為了保護(hù)晶圓的正面，暫時(shí)用 UV 膜覆蓋。該薄膜可以在運(yùn)送給客戶(hù)之前去除，也可以留在晶圓上以保護(hù)表面并防止運(yùn)輸過(guò)程中破裂。siegert wafer硅片作為硅片供應(yīng)商，我們可以為您需要的規(guī)格。在我們這里，您將找到來(lái)自直拉 (CZ) 和浮區(qū) (FZ) 培養(yǎng)工藝的純度硅片。個(gè)別規(guī)格常也可以小批量實(shí)施。我們?yōu)槟鉀Q方案,是單個(gè)晶圓也可以在潔凈室中分離。

siegert wafer硅片磨削工作，磨削服務(wù)，例如磨削較小直徑的適配器/袋（袋式晶圓），切割循環(huán)、格式化（切割），將晶圓分離成小芯片材料：硅、玻璃、石英、藍(lán)寶石，激光加工 激光加工，貼標(biāo)、打標(biāo)、激光切割，涂層siegert wafer硅片金屬化PVD/ CVD / 電鍍 / 氣相沉積 干法和濕法氧化，低溫氧化物 siegert wafer硅片LPCVD 氮化物 / PECVD 氮化物，多晶硅，光刻膠，ITO（氧化銦錫）去除晶圓背面的 SiO2，通過(guò)保護(hù)正面和高頻浸蝕來(lái) siegert wafer硅片去除背面氧化晶圓分離 晶圓分離，可以將晶圓從一塊開(kāi)始 分離為庫(kù)存物品，siegert wafer硅片計(jì)量SEM，AFM類(lèi)型和電阻率檢查，橢偏儀，晶圓幾何形狀 (E&H MX-204)

層厚度測(cè)量 (Filmetrics F50-NIR)。